芯片高温老化寿命试验（HTOL）
高温老化寿命试验(HTOL)
参考标准：JESD22-A108；
测试条件：
For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.
Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.
Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.
Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.
Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）是原信息产业部电子602计量站，经过50余年的发展，现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构，专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务，在计量校准、可靠性与环境试验、元器件筛选与失效分析检测、车规元器件认证测试、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内*水平。
GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：
芯片可靠性验证(RA)：
芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113；
高温存储试验(HTSL),JESD22-A103；
温度循环试验(TC),JESD22-A104；
温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101；
高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110；
高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108；
芯片静电测试(ESD)：
人体放电模式测试(HBM),JS001；
元器件充放电模式测试(CDM),JS002；
闩锁测试(LU),JESD78；
TLP；Surge/EOS/EFT；
芯片IC失效分析(FA)：
光学检查(VI/OM)；
扫描电镜检查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；Micro-probe;
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